Dresden 2009 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 27: GaN: preparation and characterization I

HL 27.12: Vortrag

Mittwoch, 25. März 2009, 12:45–13:00, BEY 81

Mikroskopische Lumineszenzuntersuchungen an grün-emittierenden InGaN/GaN MQWs auf semi-polaren {1101} Facetten — •Sebastian Metzner¹, Frank Bertram¹, Jürgen Christen¹, Thomas Wunderer² und Ferdinand Scholz² — ¹Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg — ²Institut für Optoelektronik, Universität Ulm

Wir präsentieren hochortsaufgelöste Kathodolumineszenzmikroskopie (KL) von, für den grünen Spektralbereich optimierten, dreifach InGaN-MQWs, die selektiv auf {1101} GaN-Facetten gewachsen wurden, welche mit MOVPE durch streifenförmige SiO₂-Maskierungen hergestellt wurden. Im auf Saphir gewachsenen GaN-Puffer dominiert die scharfe (FWHM < 5 meV) (D⁰,X) Lumineszenzlinie bei 355,8 nm, was einer biaxialen kompressiven Verspannung von 0,5 GPa entspricht. Die GaN-Prismen zeigen im Querschnitt einen schwachen, scharfen (D⁰,X)-Peak, der im lateral überwachsenen QW-Bereich stark rotverschoben (357,7 nm) und verbreitert ist. Die ortsintegrale KL des InGaN-MQW liegt im grünen Spektralbereich bei ca. 510 nm. Mikroskopisch ist ein QW-Lumineszenzverlauf zu identifizieren, der beginnend mit langwelliger KL (517 nm) in Maskennähe über eine kurzwellige KL (< 505 nm) auf 1/3 Facettenhöhe in Richtung Dachfirst zu längeren Wellenlängen (bis 512 nm) schiebt. Unmittelbar am First geht eine intensive, kurzwellige InGaN-Emission mit einer perfekten Morphologie einher. Im Gegensatz dazu korreliert eine schwache InGaN-Intensität bei 515 nm, begleitet von GaN-Defektlumineszenz bei 390 nm - 450 nm, mikroskopisch mit morphologischen Defekten unmittelbar am First.