Dresden 2009 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 27: GaN: preparation and characterization I

HL 27.3: Vortrag

Mittwoch, 25. März 2009, 10:00–10:15, BEY 81

Korrelation von Raster-LBIC (Light Beam Induced Current), µ-EL und µ-PL-Spektroskopie an InGaN-MQW LEDs auf Silicon-On-Insulator (SOI)-Substrat — •T. Fey¹, L. Reißmann¹, J. Christen¹, A. Dadgar^1,2, A. Krost^1,2, V.K.X. Lin³, S.L. Teo³ und S. Tripathy³ — ¹Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität, 39106 Magdeburg — ²AZZURRO Semiconductors AG, Magdeburg — ³Institute of Materials Research and Engineering, 3 Resarch Link, 117602 Singapore

Es wurden MOVPE-gewachsene InGaN-MQW LEDs auf SOI-Substrat mittels LBIC, µ-EL- und µ-PL-Spektroskopie untersucht. Der Messaufbau besteht aus einem optischen Mikroskop mit motorgetriebenem xy-Tisch und einem 500 mm Spektrometer mit N₂ gekühlter CCD Kamera. Die gesamte LED Oberfläche von 300x300 µm² wurde mit einer Schrittweite von 3 µm gerastert. Die Spektren zeigten klar Fabry-Perot-(FP)-Moden, welche Schichtdickeninterferenzen darstellen. Die PL-Peakwellenlänge ist im Vergleich zur EL-Peakwellenlänge für alle Ströme um ca. 35 nm blauverschoben. Außerdem zeigt sich eine Verschiebung der Peaks der FP-Interferenzen unter Strominjektion gegen über der optischen Anregung. Daraus lässt sich eine Veränderung des Brechungsindex aufgrund veränderter Ladungsträgerdichte ableiten. Die Intensitätsverteilungen der PL und EL unterscheiden sich deutlich. Jedoch kann eine eindeutige mikroskopische Korrelation zwischen LBIC und EL festgestellt werden. Das LBIC-Signal dient der Visualisierung lokaler Unterschiede der elektrischen Eigenschaften der LED sowie deren Einfluss auf die EL-Intensitätsverteilung