Dresden 2009 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 35: Semiconductor Laser

HL 35.2: Vortrag

Mittwoch, 25. März 2009, 14:15–14:30, BEY 154

Metallorganische Gasphasenepitaxie von AlInN/GaN Bragg-Spiegeln — •Pascal Moser, Armin Dadgar, Christoph Berger, Jürgen Bläsing, Thomas Hempel und Alois Krost — Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg

Hochreflektierende gitterangepasste AlInN/GaN Bragg-Spiegel (DBR) für den Einsatz in Nitrid-basierten Lasern mit Vertikalresonator (VCSEL) werden präsentiert.

Die Spiegel wurden auf 2-Zoll c-achsenorientiertem Saphirsubstrat in einem AIXTRON 200/4 RF-S Reaktor gewachsen. Auf einer AlN-Nukleationsschicht wurden ca. 1500 nm GaN und anschließend 40 AlInN/GaN λ/4-Doppelschichten abgeschieden. Die jeweils 47.1 nm dicken AlInN-Schichten wurden bei 780°C unter einem Druck von 70 mbar und die 43.2 nm dicken GaN-Schichten bei 1145°C unter einem Druck von 200 mbar gewachsen. Ammoniak bei den AlInN- und Wasserstoff bei den GaN-Schichten fungierten als Trägergase. Die Rissfreiheit der Proben konnte mit Hilfe der Nomarski-Mikroskopie verifiziert werden, während zur Bestimmung der kristallinen Qualität Röntgenbeugung verwendet wurde. Darüber hinaus kam die Röntgenbeugung zur Bestimmung der Schichtdicken zum Einsatz, welche mit den aus Feldemission-Rasterelektronenmikroskopieaufnahmen ermittelten Werten verglichen wurden. Anhand von Reflektionsspektren konnten nicht nur eine hohe Reflektivität, sondern auch die ermittelten Schichtdicken durch angepasste Simulation nachgewiesen werden.