Dresden 2009 – scientific programme
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HL: Fachverband Halbleiterphysik
HL 36: ZnO: preparation and characterization II
HL 36.5: Talk
Wednesday, March 25, 2009, 15:15–15:30, POT 51
Strukturuntersuchungen an polykristallinem In2O3(ZnO)m und InGaO3(ZnO)m — •Patrick Kessler1, Reiner Vianden1, Wentao Yu2 und Werner Mader2 — 1HISKP, Universität Bonn — 2Institut für anorganische Chemie, Universität Bonn
Transparente und leitende Oxid-Filme (TCO) sind Gegenstand aktueller Forschung, da sie als transparente Elektroden in optoelektronischen Anwendungen wie zum Beispiel Flachbildschirmen genutzt werden können. Weit verbreitet sind In2O3:Sn-Filme, die wegen der geringen Verfügbarkeit von In, sehr teuer geworden sind. Als Alternative werden In2O3-ZnO Systeme mit hoher ZnO Konzentration diskutiert, welche die gleichen optischen und elektrischen Eigenschaften aufweisen. Die genaue atomare Struktur dieser Filme ist noch nicht abschließend geklärt.
Untersucht wird deshalb In2O3(ZnO)m und InGaO3(ZnO)m mit der Methode der gestörten γ - γ Winkelkorrelation (PAC). Dazu wird 111In als Sondenatomen durch Diffusion in gepresstes Pulver eingebracht und bei 1300∘C gesintert. Mit der PAC kann nun die direkte Sondenumgebung studiert werden.
Indium in In2O3(ZnO)m befindet sich ab einer bestimmten Konzentration (m>6) auf basalen Ebenen und sich dazwischen bildenden Zick-Zack Strukturen (ZZ), wie Messungen und theoretische Rechnungen zeigen. Bei InGaO3(ZnO)m wird das Gallium bevorzugt auf diesen ZZ Plätzen eingebaut und verdrängt dort das Indium. Dies kann nun mit der PAC durch Vergleich der Sondenumgebungen in In2O3(ZnO)m und InGaO3(ZnO)m überprüft werden.