Dresden 2009 – scientific programme

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 41: GaN: preparation and characterization II

HL 41.12: Talk

Thursday, March 26, 2009, 12:45–13:00, BEY 154

Katalysator- und maskenfreies Wachstum von GaN-Nanosäulen — •Gerd Kunert¹, Timo Aschenbrenner¹, Carsten Kruse¹, Stephan Figge¹, Detlef Hommel¹, Marco Schowalter² und Andreas Rosenauer² — ¹Institut für Festkörperphysik - Halbleiterepitaxie - Universität Bremen, 28359 Bremen, Otto-Hahn Allee, NW1 — ²Institut für Festkörperphysik - Transmissionselektronenmikroskopie - Universität Bremen, 28359 Bremen, Otto-Hahn Allee, NW1

In den letzten Jahren gab es umfangreiche Untersuchungen in Bezug auf Galliumnitrid basierten Nanosäulen. Viele Herstellungsmethoden verwenden dabei katalysatorinduziertes Wachstum oder eine Maskierung der Oberfläche. In diesem Beitrag wird ein Verfahren präsentiert, was die Schwierigkeiten dieser Methoden in Bezug auf Materialqualität umgeht. In einem ersten Schritt wird die Saphir-Oberfläche mit r-Flächenorientierung mit Hilfe metallorganischer Gasphasenepitaxie nitridiert. Es bilden sich AlN Inseln auf dem Substrat. In einem zweiten Schritt wird das Wachstum mittels MBE durchgeführt. Das Verfahren führt zu um 28^∘ zur Oberflächennormalen geneigten Nanokristallen. Deren sehr gute kristalline Qualität wurde durch TEM-Untersuchungen gezeigt. Zeitgleich zum Wachstum der Nanokristalle wächst eine kompakte, zweidimensionale Schicht Galliumnitrid, die zur Kontaktierung späterer Bauelemente genutzt werden kann. Es wurden Nanosäulen hergestellt mit einer Länge von bis zu 3µm. Deren Dichte lässt sich zwischen 10⁷cm⁻² und 10⁹cm⁻² variieren.