Hamburg 2009 – wissenschaftliches Programm

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A: Fachverband Atomphysik

A 15: Poster I

A 15.6: Poster

Dienstag, 3. März 2009, 16:30–19:00, VMP 9 Poster

Tiefenauslese orts- und zeitauflösender planarer Halbleiterdetektoren zur Untersuchung hochenergetischer Röntgenstrahlung — •U. Spillmann^1,2, H. Bräuning¹, S. Hess^1,2, Chr. Kozhuharov¹, Th. Krings³, R. Reuschl^1,2, D. Protic³, S. Trotsenko^1,2 und Th. Stöhlker^1,4 — ¹AP, GSI, 64291 Darmstadt — ²IKF, Goethe-Universität, 60438 Frankfurt am Main — ³Semikon GmbH, 52428 Jülich — ⁴PI, Ruprechts-Karls-Universität, 69120 Heidelberg

Strukturierte energieauflösende Halbleiterdetektoren eröffnen neuartige Methoden in der Röntgen-Spektroskopie. Weiterhin ermöglichen diese Systeme unter Ausnutzung des Compton-Effekts Aussagen über den Polarisationsgrad sowie die Lage des Polarisationsvektors von Röntgenstrahlung. Eine weitere wichtige Anwendung ist die hochpräzise Vermessung atomarer Übergangsenergien in Kristallspektrometerexperimenten. Hier wird neben der hervorragenden Energieauflösung eine deutlich gesteigerte Effizienz im Vergleich zu klassischen Schlitzsystemen, die einfache Dioden einsetzen, erreicht. Gegenstand der aktuellen Arbeiten ist die Analyse der geometrischen und elektronischen Responsefunktion eines beidseitig strukturierten 128x48- Streifendetektors aus hochreinen Germanium, mit dem Ziel neben der zweidimenionalen Ortsinformation auch die Tiefe des Wechselwirkungspunkts im Detektorkristall bestimmen zu können. Somit lassen sich einerseits Parallaxefehler beim Imaging korregieren andererseits kann der Nachweis des Compton-Prozesses in Hinblick auf Compton-Imaging optimiert werden.