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T: Fachverband Teilchenphysik
T 10: Eingeladene Vorträge 4
T 10.3: eingeladener Vortrag
Donnerstag, 12. März 2009, 15:10–15:45, N120
Strahlenharte Siliziumsensoren für den SLHC — •Doris Eckstein — Universität Hamburg
Nach dem geplanten Ausbau des LHC zum SLHC wird sich die Strahlenbelastung der innersten Lagen der Silizium-Spurdetektoren um ungefähr einen Faktor 10 auf Φeq≈ 1016 erhöhen. Die im Material verursachten Schäden resultieren im Anstieg des Dunkelstroms, in der Änderung der Verarmungsspannung sowie im Anstieg des Ladungseinfangs durch Trapping. Neue, noch strahlenhärtere Detektoren sind nötig, die auch nach dieser hohen Strahlendosis noch eine ausreichende Effizienz und Auflösung ermöglichen. Im Rahmen der RD50-Kollaboration und der LHC-Experimente werden strahlenharte Siliziumdetektoren für den Einsatz am SLHC entwickelt. Dabei werden verschiedene Ansätze verfolgt, um durch die Wahl der Materialien, durch Defect Engineering oder durch alternative Detektorgeometrien zur gewünschten Strahlenhärte zu gelangen. Der Vortrag gibt einen Überblick über diese Methoden und stellt aktuelle Resultate der Entwicklung strahlenharter Siliziumsensoren für den SLHC vor.