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T: Fachverband Teilchenphysik

T 55: Halbleiterdetektoren 1

T 55.2: Vortrag

Montag, 9. März 2009, 17:15–17:30, A125

Ein Mehrkanal-TCT Aufbau zur Untersuchung der Eigenschaften von Silizium-Sensoren bei Ladungsinjektion hoher Intensität — •Julian Becker, Doris Eckstein, Georg Steinbrück und Robert Klanner — Universität Hamburg, Inst. f. Exp.Phys, Detektorlabor

Am europäischen XFEL werden Röntgenstrahlungspulse kurzer Dauer mit extrem hoher Intensität erzeugt werden. Diese hohen Intensitäten erzeugen in den verwendeten Silizium-Sensoren ein Elektron-Loch-Plasma, dessen genaue Auswirkungen auf Sensoreigenschaften wie Auflösung, Linearität und Ansprechgeschwindigkeit weitgehend unverstanden sind.

Es wird gezeigt, dass sich die Transient Current Technique (TCT) in Verbindung mit Ladungsinjektion hoher Intensität eignet, um die Vorgänge in einem Silizium-Sensor, wie er beispielsweise im HPAD-Projekt (AGIPD) verwendet wird, zu simulieren.

In diesem Vortrag werden charakteristische Eigenschaften des Aubaus (z.B. Kalibrierung, Laserprofile) sowie Messungen des Plasmaeffekts an einer unstrukturierten Diode und an einem Mikrostripdetektor präsentiert.

Es wird gezeigt, dass sich Plasmaeffekte sowohl in der zeitlichen Verlängerung der gemessenen Pulse als auch in einer räumlichen Expansion der Ladungsverteilung zeigen und durch Erhöhung der Sperrspannung zum Teil unterdrücken lassen.