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T: Fachverband Teilchenphysik
T 56: Halbleiterdetektoren 2
T 56.4: Vortrag
Dienstag, 10. März 2009, 17:30–17:45, A125
Untersuchung von Strahlenschäden in Proton-bestrahlten epitaktischen Siliziumdetektoren — •Jörn Lange, Eckhart Fretwurst und Gunnar Lindström — Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg
Für die innersten Lagen der Spurdetektoren am geplanten SLHC werden Fluenzen bis zu Φeq= 1016cm−2 erwartet, also um mehr als einen Faktor 10 höher als am LHC. Daher ist die Entwicklung neuer Siliziumdetektoren mit bisher unerreichter Strahlenhärte erforderlich. Epitaktische (Epi) Siliziumdetektoren stellen eine vielversprechende Option dar. Die Strahlenhärte von 75µm, 100µm und 150µm dicken Epi-Dioden nach Bestrahlung mit 24GeV/c Protonen und 1MeV Neutronen wurde untersucht, wobei die Leckströme, die Verarmungsspannung und das Trapping-Verhalten untersucht wurden. Die Ergebnisse werden vorgestellt, wobei besonders auf die Resultate zur Ladungssammlung und zum Trapping eingegangen wird.