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16:45 |
T 56.1 |
Korrelation zwischen Clusterdefekten und Sperrstrom in Siliziumdetektoren — •Alexandra Junkes, Eckhart Fretwurst, Doris Eckstein und Ioana Pintilie
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17:00 |
T 56.2 |
Methode zur Beurteilung von Strahlenschäden im ATLAS Pixel Sensor durch kontinuierliche Messungen der Depletionstiefe — •Andre Schorlemmer, Jens Weingarten, Reiner Klingenberg und Claus Gößling
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17:15 |
T 56.3 |
Thermische Studien zu DEPFET-Sensoren im SuperBelle-Experiment — •Oksana Brovchenko, Tobias Barvich, Alexander Dierlamm, Thomas Müller und Hans-Jürgen Simonis
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17:30 |
T 56.4 |
Untersuchung von Strahlenschäden in Proton-bestrahlten epitaktischen Siliziumdetektoren — •Jörn Lange, Eckhart Fretwurst und Gunnar Lindström
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17:45 |
T 56.5 |
Studien zur Positionsrekonstruktion für aktive Pixelsensoren mit Multivariaten Methoden — •Lars Reuen, Norbert Wermes, Hans Krüger, Fabian Huegging, Johannes Schneider, Robert Kohrs und Manuel Koch
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18:00 |
T 56.6 |
Comparison of Electrical Properties and Charge Collection Efficiency between Diamond, 3D-Silicon, and Planer Silicon Pixel Detectors — •Jieh-Wen Tsung, Markus Mathes, Fabian Hügging, and Norbert Wermes
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18:15 |
T 56.7 |
Untersuchung der Schwellspannungsveränderung von DEPFET-Sensoren durch Röntgenstrahlung — •Andreas Ritter, Tobias Barvich, Wim de Boer, Alexander Dierlamm, Thomas Müller, Hans-Jürgen Simonis und Pia Steck
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18:30 |
T 56.8 |
Two-dimensional Numerical Modelling of MOS Test-Structures — •Ajay. K. Srivastava, E. Fretwurst, R. klanner, and H. Perrey
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18:45 |
T 56.9 |
Entwicklung eines schnellen Auslesesystems für DEPFET-Sensoren — •Manuel Koch, Norbert Wermes, Fabian Hügging, Peter Fischer, Ivan Peric, Christian Kreidl und Hans Krüger
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19:00 |
T 56.10 |
Homogenität und Löschverhalten von DEPFET-Pixelsensoren — •Kristof Schmieden, Lars Reuen, Robert Kohrs, Manuel Koch, Hans Krüger und Norbert Wermes
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