Bonn 2010 – scientific programme

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T: Fachverband Teilchenphysik

T 60: Halbleiterdetektoren III

T 60.1: Talk

Wednesday, March 17, 2010, 14:00–14:15, HG V

Charakterisierung einer neuen Generation von DEPFET-Sensoren — •Simone Esch, Norbert Wermes, Manuel Koch, Lars Reuen, Hans Krüger, Sergey Furletov, Julia Furletova und Johannes Schneider — Physikalisches Institut, Universität Bonn, Deutschland

Ein DEPFET(DEPleted Field Effect Transistor)-Pixeldetektor ist ein depletierter Halbleitersensor, in dem die erste Verstärkerstufe in Form eines MOSFET in jedem Pixel integriert ist. Durch Ladung im sog. Interne Gate, einem Potentialminimum unterhalb des MOSFET, kann der Source-Drain-Strom beeinflusst werden und somit ein eilchendurchgang nachgewiesen werden. Durch die geringe Detektorkapazität ist ein besonders hohes Signal-zu-Rausch Verhältnis möglich, welches zusammen mit einer hohen Ortsauflösung eine gute Grundlage für Vertex-Detektoren wie Belle-II am KEK Anwendung finden soll. Neue, größere Sensoren der Generation PXD5 sollten nun mit dem neuen Auslesesystem S3B charakterisiert werden. Augenmerk soll hierbei auf die Optimierung der Spannungen für Ladungssammlung und Löschvorgang gelegt werden. Diese Spannungen sind wichtig um ein hohes Signal-zu-Rausch-Verhältnis zu erhalten. Des weiteren wird die interne Verstärkung der Pixel untersucht. Verschiedene Sensortypen werden bzgl. der Homogenität und der Gesamtverstärkung verglichen.