Bonn 2010 – wissenschaftliches Programm
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T: Fachverband Teilchenphysik
T 64: Strahlenhärte von Halbleiterdetektoren II
T 64.4: Vortrag
Donnerstag, 18. März 2010, 17:30–17:45, HG ÜR 6
Untersuchungen zur Generation von Donatoren nach Elektronenbestrahlung in n-Typ Siliziumdioden — •Alexandra Junkes1, Eckhart Fretwurst1, Gunnar Lindström1 und Ioana Pintilie2 — 1Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg, Luruper Chaussee 149, 22761 Hamburg — 2National Institute of Materials Physics, RO-77125 Bukarest, Rumänien
Der geplante Ausbau des Large Hadron Collider (LHC) zum Super Large Hadron Collider (sLHC) erfordert eine weitere Erhöhung der Strahlentoleranz der Siliziumsensoren in den Spurdetektoren der verschiedenen Experimente (z.B. CMS und ATLAS).
Dies kann durch ein geeignetes "defect engineering" nur dann erreicht werden, wenn die den Strahlungsschädigungseffekten zugrundeliegenden Defekte und deren Erzeugungs-mechanismen bekannt sind. Hierzu wurden Untersuchungen zur Defektcharakterisierung mit Hilfe der Thermally Stimulated Current (TSC) Methode an n-leitenden Siliziummaterialien mit unterschiedlichen Sauerstoffkonzentrationen durchgeführt. Die Dioden wurden mit Elektronen unterschiedlicher Energie (6 MeV, 15 MeV und 900 MeV) bestrahlt. Besonderes Augenmerk wird auf einen strahleninduzierten Donator (E(30K): EC−0.1 eV, sn=2.3×1014 cm−2) gelegt, der eine Schlüsselrolle bei der Unterdrückung der Inversion in epitaktischem Silizium von n- zu p-Material nach der Bestrahlung mit geladenen Hadronen spielt. Wir konnten eine Energieabhängigkeit für die Generierung dieses Defektes beobachten und versuchen Rückschlüsse auf seine Zusammensetzung zu finden.