Hannover 2010 – wissenschaftliches Programm

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P: Fachverband Plasmaphysik

P 1: Plasmatechnology

P 1.5: Vortrag

Montag, 8. März 2010, 15:10–15:25, B 302

Ätzmechanismen bei der Bearbeitung von SiC mittels atmosphärischer Plasmajets — •Inga-Maria Eichentopf und Thomas Arnold — Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung, Permoserstrasse 15, D-04318 Leipzig

Siliziumkarbid ist aufgrund hervorragender Eigenschaften, wie seiner großen Härte, sehr guter thermischer Leitfähigkeit und großer Bandlücke ein vielversprechendes Halbleitermaterial, dessen Anwendungen von der Luft- und Raumfahrttechnik bis hin zur Halbleiterindustrie reichen. Wegen seiner Eigenschaft chemisch inert zu sein, ist das plasmaaktivierte Trockenätzen eines der wenigen praktikablen Mittel um Siliziumkarbid zu bearbeiten. Zur Untersuchung der dabei stattfindenden Prozesse wurden Experimente mit einem RF (13.56 MHz) angeregten atmosphärischen Plasmajet durchgeführt. Als Trägergas diente hierbei He mit Zugabe von CF4 und O2 als Ätzgasen. Es wurden Ätzungen mit und ohne Probenheizung bei verschiedenen CF4/O2-Gemischen durchgeführt. Anschließend wurden mit Hilfe von Arrhenius-Plots die Aktivierungsenergien bestimmt. Weiterhin wurden XPS-Untersuchungen an den geätzten Oberflächen vorgenommen, die ein unterschiedliches Verhalten der silizium- und kohlenstofforientierten Seite in Form von Bildung verschiedener Oxidationsprodukte zeigen.