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Q: Fachverband Quantenoptik und Photonik

Q 12: Laser Development: Solid State Lasers I

Q 12.2: Vortrag

Montag, 8. März 2010, 16:45–17:00, F 128

Einkristalliner Yb³⁺:(Gd,Lu)₂O₃-Wellenleiterlaser bei 976,8 nm — •Henning Kühn, Sebastian Heinrich, Andreas Kahn, Klaus Petermann und Günter Huber — Institut für Laser-Physik, Universität Hamburg, Luruper Chaussee 149, D-22761 Hamburg

Wir berichten über einen Yb³⁺-dotierten Sesquioxid-Rippenwellenleiterlaser basierend auf einer gitterangepassten Yb³⁺(3%):(Gd,Lu)₂O₃-Schicht, die epitaktisch mit Pulsed Laser Deposition (PLD) auf einem Y₂O₃-Substrat aufgewachsen wurde. Mittels Argon-Ionenätzen wurden Rippenwellenleiter strukturiert und Wellenleitung nachgewiesen. Unter Pumpen mit einem Ti³⁺:Al₂O₃-Laser bei 905 nm wurde Laser-emission bei 976,8 nm beobachtet [1]. In Bezug auf die eingestrahlte Leistung wurden eine Laserschwelle von 17 mW und aufgrund der noch recht hohen Verluste ein differentieller Wirkungsgrad von bisher 6,7% erzielt. Bei einer einfallenden Pumpleistung von 200 mW wurde eine maximale Ausgangsleistung von 12 mW erreicht. [1] H. Kühn et al., Optics Letters 34 (18), 2718-2720 (2009)