Hannover 2010 – wissenschaftliches Programm
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Q: Fachverband Quantenoptik und Photonik
Q 33: Laser Development: Semiconductor Lasers / Nonlinear Effects II
Q 33.6: Vortrag
Mittwoch, 10. März 2010, 15:15–15:30, F 128
Schmalbandiger GaSb-OPSDL bei 2 µm Wellenlänge — •Philipp Koopmann1,2, Samir Lamrini2, Karsten Scholle2 und Peter Fuhrberg2 — 1Institut für Laser-Physik, Universität Hamburg, Luruper Chaussee 149, 22761 Hamburg — 2LISA laser products, Max-Planck-Str. 1, 37191 Katlenburg-Lindau
An Lasern mit Wellenlängen im Bereich um 2 µm besteht ein großes Interesse, da diese in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt werden. So finden sie z. B. in der Medizin, in der Gas-Detektion und in LIDAR-Systemen Verwendung. Mit optisch gepumpten Halbleiter-Scheibenlasern (OPSDL) lassen sich kompakte Aufbauten und hohe Strahlqualitäten realisieren. OPSDLs auf (AlGaIn)(GaSb)-Basis ermöglichen Laseraktivität im Bereich von 1,9 µm bis 2,7 µm. Mit diesem System konnten von uns Ausgangsleistungen von bis zu 2,6 W erreicht werden, wobei der OPS bei einer Wellenlänge von 976 nm gepumpt wurde. Mittels eines doppelbrechenden Filters konnte die Wellenlänge des Lasers über 60 nm durchgestimmt werden. Wurde anstelle eines Auskoppelspiegels ein Volumen Bragg Gitter (VBG) verwendet, konnte die Wellenlänge des Lasers fixiert und die Linienbreite auf unter 2,4 MHz reduziert werden. Die maximale Ausgangsleistung bei Verwendung des VBG war auf 750 mW begrenzt. Die verwendeten Gitter ermöglichten Lasertätigkeit bei 1960 nm, 2013 nm und 2021,3 nm.