Regensburg 2010 – wissenschaftliches Programm

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DS: Fachverband Dünne Schichten

DS 29: Poster: Molecular Spintronics, Biomolecular and Functional Organic Layers, Organic Electronics and Photovoltaics, Plasmonics and Nanophotonics, Organic Thin Films, Nanoengineered Thin Films, Thin Film Characterisation,

DS 29.14: Poster

Mittwoch, 24. März 2010, 15:00–17:30, Poster A

Rekristallisation von a-Si– und a-Ge–Nanostrukturen — •Jens Bauer, Chinmay Khare, Michael Weise und Bernd Rauschenbach — Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung, Permoserstrasse 15, D-04318 Leipzig, Germany

Die Glanzwinkelabscheidung (GLAD: „glancing angle deposition“) stellt eine spezielle Methode der physikalischen Gasphasenabscheidung von porösen Schichten dar. Dabei erreicht der einfallende Partikelfluss die Substratoberfläche unter streifendem Einfallswinkel (üblicherweise < 5^∘). Bereits im Bereich der Anfangsabscheidung schatten sich benachbarte Strukturen aufgrund dieses extrem flachen Partikeleinfallswinkels gegenseitig ab. Das resultierende konkurrierende Wachstum führt zur Ausbildung einer definierten Nanostruktur aus geneigten Nadeln, die in Richtung des einfallenden Partikelflusses orientiert vorliegen. Durch zusätzliche Substratrotation lässt sich die Nanostruktur gezielt variieren. So lassen sich bspw. Nanospiralen, -schrauben oder senkrechte Nanosäulen realisieren, die wiederum aus nanoskopischen Fasern (d=20-30 nm) bestehen. Im Beitrag stellen wir Ergebnisse zur GLAD-Herstellung von nanostrukturierten a-Si– und a-Ge–Schichten vor. Im Vergleich zu kompakten a-Si– und a-Ge–Volumenmaterialschichten wurde die Rekristallisation im Temperaturbereich von RT–1200^∘C untersucht. Der Einfluss von Temperatur und Annealingzeit werden auf Grundlage von Röntgenbeugungsexperimenten diskutiert.