HL 27: GaN Preparation and Characterization
Dienstag, 23. März 2010, 14:00–16:15, H15
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14:00 |
HL 27.1 |
Defect distributions at III-nitride interfaces from ab-initio-based thermodynamic data — •Christoph Freysoldt, Björn Lange, and Jörg Neugebauer
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14:15 |
HL 27.2 |
Ab-initio based growth simulations of III-Nitride nanowires. — •Liverios Lymperakis and Jörg Neugebauer
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14:30 |
HL 27.3 |
Processing and contacting of free standing nanorod arrays — •Richard Neumann, Ünsal Sökmen, Stephan Merzsch, Sönke Fündling, Shunfeng Li, Gerhard Palm, Hergo-Heinrich Wehmann und Andreas Waag
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14:45 |
HL 27.4 |
Elektrische Messungen selbstorganisierter GaN Nanosäulen — •G. Kunert, C. Kruse, T. Aschenbrenner, S. Figge, D. Hommel, J. Kalden, K. Sebald und J. Gutowski
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15:00 |
HL 27.5 |
Elektrische Untersuchungen an AlN/AlGaN-Strukturen für LEDs auf Si(111) — K.-M. Günther, •H. Witte, A. Rohrbeck, P. Saengkaew, J. Bläsing, A. Dadgar und A. Krost
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15:15 |
HL 27.6 |
Doping modulation in GaN investigated by cross-sectional scanning tunneling microscopy — Holger Eisele, Lena Ivanova, Svetlana Borisova, Mario Dähne, Momme Winkelnkemper, and •Philipp Ebert
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15:30 |
HL 27.7 |
Röntgenographische Qualitäts- und Homogenitätsuntersuchungen an GaN Schichten auf Silizium — •Stephanie Fritze, Jürgen Bläsing, Oliver Schulz, Armin Dadgar und Alois Krost
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15:45 |
HL 27.8 |
Analyse und Interpretation von in-situ Krümmungsmessungen beim Wachstum von AlInN/GaN-Braggreflektoren — •Christoph Berger, Pascal Moser, Armin Dadgar, Jürgen Bläsing und Alois Krost
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16:00 |
HL 27.9 |
Effect of Mg codoping on Europium(Eu+3) implanted GaN — •Jayanta Kumar Mishra, Torsten Langer, Uwe Rossow, Kirill Trunov, Rüdiger Schott, Andreas Wieck, and Andreas Hangleiter
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