Regensburg 2010 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 27: GaN Preparation and Characterization

HL 27.4: Vortrag

Dienstag, 23. März 2010, 14:45–15:00, H15

Elektrische Messungen selbstorganisierter GaN Nanosäulen — •G. Kunert, C. Kruse, T. Aschenbrenner, S. Figge, D. Hommel, J. Kalden, K. Sebald und J. Gutowski — Institute für Festkörperphysik, Universität Bremen, Otto-Hahn-Allee 1, 28359 Bremen

In den letzten Jahren wurden die Eigenschaften von GaN-basierten Nanosäulen umfangreich untersucht. Die Herstellungsmethode des selbstorganisierten Wachstums ist wegen der daraus resultierenden sehr guten Kristallqualität (FWHM D₀X=1,2 meV) anderen Verfahren teilweise überlegen. Der Prozess verwendet in r-Richtung (1102) geschnittenen Saphirsubstrate.
Zur Herstellung der Kristalle wird das Substrat in einem ersten Schritt mittels metallorganischer Dampfphasenepitaxie nitridiert. Dabei bilden sich AlN-Inseln auf der Substratoberfläche. In einem zweiten Schritt wird das Wachstum der Nanosäulen mittels Molekularstrahlepitaxie durchgeführt. Das Verfahren führt zu Nanosäulen welche um 28^∘ zur Oberflächennormalen geneigt sind, sowie einer kompakten, zweidimensionalen Schicht, welche die Nanokristalle umschließt. Es wurden n-, p-Dotierungen, sowie p-n-Übergänge der Nanokristalle realisiert.
Eine Methode zur elektrischen Kontaktierung von Nanosäulen-Ensembles wird präsentiert. Elektrische Messungen zeigen ohmsche Kontaktcharakteristiken für beide Dotierungen. Bei 5V angelegter Spannung konnten Stromdichten von 10 A cm⁻² (n-dotiert) bzw. 16 mA cm⁻² (p-dotiert) erreicht werden. Diodenkennlinien von n-p-dotierten Nanosäulen werden diskutiert.