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HL: Fachverband Halbleiterphysik
HL 27: GaN Preparation and Characterization
HL 27.4: Talk
Tuesday, March 23, 2010, 14:45–15:00, H15
Elektrische Messungen selbstorganisierter GaN Nanosäulen — •G. Kunert, C. Kruse, T. Aschenbrenner, S. Figge, D. Hommel, J. Kalden, K. Sebald und J. Gutowski — Institute für Festkörperphysik, Universität Bremen, Otto-Hahn-Allee 1, 28359 Bremen
In den letzten Jahren wurden die Eigenschaften von GaN-basierten Nanosäulen umfangreich untersucht. Die Herstellungsmethode des selbstorganisierten Wachstums ist wegen der daraus resultierenden sehr guten Kristallqualität (FWHM D0X=1,2 meV) anderen Verfahren teilweise überlegen. Der Prozess verwendet in r-Richtung (1102) geschnittenen Saphirsubstrate.
Zur Herstellung der Kristalle wird das Substrat in einem ersten Schritt mittels metallorganischer Dampfphasenepitaxie nitridiert. Dabei bilden sich AlN-Inseln auf der Substratoberfläche. In einem zweiten Schritt wird das Wachstum der Nanosäulen mittels Molekularstrahlepitaxie durchgeführt. Das Verfahren führt zu Nanosäulen welche um 28∘ zur Oberflächennormalen geneigt sind, sowie einer kompakten, zweidimensionalen Schicht, welche die Nanokristalle umschließt. Es wurden n-, p-Dotierungen, sowie p-n-Übergänge der Nanokristalle realisiert.
Eine Methode zur elektrischen Kontaktierung von Nanosäulen-Ensembles wird präsentiert. Elektrische Messungen zeigen ohmsche Kontaktcharakteristiken für beide Dotierungen. Bei 5V angelegter Spannung konnten Stromdichten von 10 A cm−2 (n-dotiert) bzw. 16 mA cm−2 (p-dotiert) erreicht werden. Diodenkennlinien von n-p-dotierten Nanosäulen werden diskutiert.