Regensburg 2010 – scientific programme

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 27: GaN Preparation and Characterization

HL 27.5: Talk

Tuesday, March 23, 2010, 15:00–15:15, H15

Elektrische Untersuchungen an AlN/AlGaN-Strukturen für LEDs auf Si(111) — K.-M. Günther, •H. Witte, A. Rohrbeck, P. Saengkaew, J. Bläsing, A. Dadgar und A. Krost — Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität-Magdeburg, Magdeburg, Germany

AlGaN ist aufgrund seiner variablen Bandlücke von 3,4 eV (GaN) bis 6,2 eV (AlN) ein sehr attraktives Material für optoelektronische Bauelemente für den UV-Bereich. Für diese Anwendung werden jedoch Schichten mit hoher Qualität benötigt. Um die strukturellen Eigenschaften einer AlGaN/GaN-LED auf Si(111) zu verbessern, wurde zur Defektreduktion eine Niedrigtemperatur (LT)/Hochtemperatur (HT)-AlN-Multilayer-Struktur als Anpassschicht zum Si-Substrat verwendet. Diese LED-Strukturen wurden mittels temperaturabhängiger IU- und CV-Messungen und mittels Admittanz- und Photoleitungsspektroskopie detailliert untersucht. Es wurden Hinweise auf Grenzflächendefekte in der LT-AlN/HT-AlN- Multilayer und innerhalb der AlGaN/GaN- Struktur gefunden. Innerhalb des Quantenwells (QWs) zeigen CV-Messungen negative differentielle Widerstands- und Kapazitätsverläufe, die durch Tunnelprozesse innerhalb des QWs erklärt werden können. Die Ergebnisse werden in Hinblick auf den Einfluss der Grenzflächendefekte und der Transportvorgänge im QW auf die elektrischen und optischen Eigenschaften der LED-Strukturen diskutiert.