Regensburg 2010 – scientific programme

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 31: Poster I: Devices, Quantum Dots and Quantum Wires

HL 31.11: Poster

Tuesday, March 23, 2010, 18:30–20:30, Poster D1

AlInN-BASIERTE HYBRIDE VCSEL STRUKTUREN — •Pascal Moser., Armin Dadgar, Alexander Franke, Jürgen Bläsing, Thomas Hempel, Jürgen Christen und Alois Krost — Institut für experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg

Hybride nitrid-basierte VCSEL Strukturen, welche mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie gewachsen wurden, werden praesentiert. Die Strukturen wurden auf 2-Zoll c-achsenorientiertem Saphirsubstrat in einem AIXTRON 200/4 RF-S Reaktor gewachsen. Auf einer AlN/AlGaN-Keimschicht wurde ein ca. 2 mikrometer dicke GaN-Bufferschicht gewachsen. Dieser enthaelt eine Niedertemperatur AlN-Schicht, welche die im Spiegel auftretende Spannung kompensiert und eine SiN-Maske, um die Versetzungdichte zu reduzieren. Der darauf abgeschiedene epitaktische 30-40 fach Spiegel enthält die GaN und AlInN lambda/4-Schichten, welche entsprechend unserer Zielwellenlaenge von 430 nm eine Dicke von 47.1 nm für AlInN bzw. 43.2 nm für GaN aufweisen. Die mit einen In0.15Ga0.85N (2.1 nm) / GaN:Si (5.0 nm) Mehrfachquantengraben versehende 3/2 lambda Kavitaet wurde direkt auf dem Spiegel gewachsen, sodass abschließend ein oberer dielektrischer Ta2O5 / SiO2 Spiegel mit Elektronenstrahlverdampfung deponiert werden konnte.