Regensburg 2010 – wissenschaftliches Programm
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HL: Fachverband Halbleiterphysik
HL 31: Poster I: Devices, Quantum Dots and Quantum Wires
HL 31.34: Poster
Dienstag, 23. März 2010, 18:30–20:30, Poster D1
Ladungsträgerdichtesteuerung in einer invertierten GaAs / AlxGa1−xAs Heterostruktur mit eingebetteten InAs Quantenpunkten mittels Rückseitengate. — •Sascha Valentin, Arne Ludwig, Dirk Reuter und Andreas Wieck — Lehrstuhl für angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstrasse 150, D-44780 Bochum
InAs Quantenpunkte (QDs) gekoppelt an ein zweidimensionales Elektronensystem (2DES) sind bereits in größerem Umfang studiert worden, aber die Ladung in den QDs ließ sich bei diesen Experimenten, die nur mit einem Oberflächengate durchgeführt wurden, nicht einstellen, ohne auch die Dichte im 2DES zu ändern. In diesem Beitrag stellen wir eine Struktur mit einem zusätzlichen Rückseitengate vor, so dass sich die Beladung der QDs unabhängig von der Dichte der QDs einstellen lässt. Außerdem erlaubt diese Zweigate Struktur, den Abstand zwischen QDs und Elektronenwellenfunktion elektronisch zu beeinflussen, und damit in Abhängigkeit davon den Transport zu studieren.