Regensburg 2010 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 32: Poster I: Group II - Oxides

HL 32.22: Poster

Dienstag, 23. März 2010, 18:30–20:30, Poster D1

Defekt-Komplexbildung nach Ionenimplantation in ZnO — •Valentin Germic, Patrick Keßler und Reiner Vianden — Helmholtz Institut für Strahlen und Kernphysik, Universität Bonn

Nach der Implantation der Winkelkorrelationssonden ¹¹¹In oder ¹¹⁷Cd und einer Anlasstemperatur von 900 K tritt ein Defekt auf, der allerdings bei höheren Temperaturen wieder ausheilt. Ein ähnlicher Defekt wurde bereits bei Winkelkorrelationsmessungen (PAC) von ¹¹¹In in ZnO nach der Dotierung mit Zn beobachtet [1]. Beides deutet auf eine mögliche Sauerstoffleerstelle hin. Dies könnte Hinweise für einen möglichen Mechanismus von Ferromagnetismus in Halbleitern geben, der durch die Bildung von magnetischen Polaronen aus Übergangsmetall-Ionen und einer Sauerstoffleerstelle entstehen [2].

Es kann gezeigt werden, dass die Defektbildung abhängig vom Implantationswinkel und unabhängig von der Ausheilatmosphäre ist. Durch eine PAC Orientierungsmessung wurden mögliche Positionen der Leerstelle im Kristallgitter bestimmt. Mit β-γ Korrelationsmessungen der Sonde ¹¹¹Ag ist abschließend die Bestimmung des Defekt-EFG Vorzeichens möglich.

[1] D. Forkel et al Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 46 (1985) [2] J. M. D. Coey, Nature Materials 4, 173 - 179 (2005)