Regensburg 2010 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 34: Poster I: III-V Semiconductors

HL 34.20: Poster

Dienstag, 23. März 2010, 18:30–20:30, Poster D2

Wachstum von Al(1-x)In(x)N mittels Molekularstrahlepitaxie — •Raimund Vöhringer, Dongzhi Hu und Daniel Schaadt — Karlsruhe Institut für Technologie, CFN, 76131 Karlsruhe,Deutschland

Um den großen Bereich der von Nitriden abgedeckten Bandlücke zu nutzen ist die Herstellung ternäre Legierungen unterschiedlicher metallischer Konzentration notwendig. Durch gezielte Vermischung von InN (Egap= 0,7eV) und AlN (Egap=6,2eV) könnten diese Halbleiter einen Bereich vom infraroten bis zum ultravioletten Spektrum abdecken.

Die Substratwahl ist bei dem epitaktischen Herstellungsprozess der Halbleiterschichten von entscheidender Bedeutung. So bietet die Si(111) Oberfläche nicht nur eine geeignete hexagonale Oberflächenstruktur, sondern stellt auch ein kostengünstiges und in bestehende Systeme leicht integrierbares Substrat dar. Wir untersuchen das Wachstum von ternären Gruppe III-Nitriden auf Silizium(111) mittels Plasma unterstützter Molekularstrahlepitaxie (PAMBE). Durch die in der Plasmazelle angeregten Stickstoffmoleküle können Nitridhalbleiter schon bei vergleichsweise tiefen Temperaturen gewachsen werden.

Wir haben gezeigt, dass sich ein direktes Wachstum von InN auf Si(111) als nicht erfolgreich erweist. Erst mit Verwendung einer AlN Pufferschicht konnten wir gute Kristallqualitäten erreichen. Kristallqualität und Morphologie der Halbleiterschichten wurde mittels Röntgendiffraktometrie und Elektronenmikroskopie untersucht.