Regensburg 2010 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 34: Poster I: III-V Semiconductors

HL 34.27: Poster

Dienstag, 23. März 2010, 18:30–20:30, Poster D2

Entstehung selbstorganisierter GaN-Nano-Strukturen durch reaktives Ionenätzen in einer ECR-RIE-Anlage — •Mathias Müller, Thomas Hempel, Bernd Garke, Hartmut Witte, Armin Dadgar, Jürgen Christen und Alois Krost — Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg

Trockenätzen von GaN-Bauelementschichten ist ein wichtiger Prozessschritt zur Erzeugung von Mikrostrukturen. Hierbei ist das Abtragen der Oberflächen vorrangiges Ziel. Allerdings können unter bestimmten Voraussetzungen auch gezielt Oberflächenreliefs erzeugt werden, die zu Nanostrukturen führen. (Yoshida, H. et al., Jap. J. Appl. Ph. (2001), 12A, 1301-1304)
Die Entstehung von hohlkegelförmigen Nanostrukturen mit einem Durchmesser von ca. 50 nm ohne eine Mikrostrukturierung wird für GaN-InGaN-basierte LED-Strukturen vorgestellt. Hierzu wurde eine ECR-RIE-Plasmaquelle, mit Cl₂ und Ar als Ätzgasen, verwendet. Die selbstorganisierten Strukturen entstehen sowohl im reinen RIE-Betrieb als auch im kombinierten ECR-RIE-Betrieb unter Verwendung von relativ hohen Prozessdrücken. Die Strukturen wurden mittels AFM, REM, XPS und verschiedenen optischen Methoden untersucht.