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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 34: Poster I: III-V Semiconductors

HL 34.33: Poster

Dienstag, 23. März 2010, 18:30–20:30, Poster D2

Präparation von GaN-basierten Proben mittels Niedrigenergie-Ionendünnung für Transmissionselektronenmikroskopie — •Stephanie Bley, Thorsten Mehrtens und Andreas Rosenauer — AG Elektronenmikroskopie, Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, Otto-Hahn-Allee 1, 28359 Bremen, Deutschland

Auf der Oberfläche von TEM-Proben (TEM - transmission electron microscopy) lagern sich durch die Präparation (mechanisches Dünnen oder FIB (focused ion beam)) und nach längerem Kontakt mit der Luft schwach gebundene Atome (z.B. O,C,N etc.) an. Durch die Niedrigenergie-Ionendünnung werden diese schwach gebundenen Atome von der Probenoberfläche entfernt. Anhand von GaN-basierten Proben wird gezeigt, welchen Einfluss die Ionendünnung auf die Proben hat. Dazu wurden Untersuchungen mittels HRTEM (high resolution TEM) und STEM (scanning TEM) durchgeführt. Unter anderem werden für verschiedene Ionenenergien Dickenprofile der Probe erstellt. Dickenprofile werden durch den Vergleich der normierten Intensität aus STEM-Bildern mit einer durch die Frozen Lattice-Methode simulierten Referenzintensität erzeugt.