Regensburg 2010 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 34: Poster I: III-V Semiconductors

HL 34.4: Poster

Dienstag, 23. März 2010, 18:30–20:30, Poster D2

Entwicklung einer Kohlenstoff-Flüssigmetallionenquelle für die fokussierte Ionenimplantation — •Markus Greff, Paul Mazarov, Dirk Reuter und Andreas D. Wieck — Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum, Universitätsstrasse 150, D-44780 Bochum, Germany

Seit ihrer Entwicklung am Ende der 70er Jahre wurde die fokussierte Ionenimplantation (FIB-Implantation) stark weiter entwickelt, so dass mit ihr heutzutage ein hochleistungsfähiges Werkzeug zur maskenlosen, lokalen Dotierungen und zum Sputtern mit Auflösungen um 10nm zur Verfügung steht. Für viele Anwendungen, wie z.B. das lokale p-typ Dotieren von GaAs, Implantation in Diamant, Carbon-Nanoröhrchen und Graphen sowie die Materialmodifikation in organischen Materialien, ist eine fokussierte Kohlenstoffimplantation wünschenswert. Jedoch stellt die Herstellung einer entsprechenden Flüssigmetallquelle eine große Herausforderung dar. In diesem Beitrag stellen wir erste Ergebnisse für eine C-Ce-Quelle vor.