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Regensburg 2010 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 35: New Materials: Optoelectronic and Photovoltaic Applications

Mittwoch, 24. März 2010, 09:30–10:45, H13

09:30 HL 35.1 Characterization of β −Ga2O3 single crystals — •Jan Stehr, Albrecht Hofstaetter, Detlev Hofmann, Bruno K. Meyer, and Reinhard Uecker
09:45 HL 35.2 Alternative bufferlayers for CIGS solarcells. — •A. Beleanu, T. Gruhn, C.G.F. Blum, B. Balke, and C. Felser
10:00 HL 35.3 Systematic ab initio study of half-Heusler materials for optoelectronic applicationsThomas Gruhn and •Claudia Felser
10:15 HL 35.4 Nanosecond switching in GeTe phase change memory cells — •Gunnar Bruns, Philipp Merkelbach, Carl Schlockermann, Martin Salinga, Matthias Wuttig, Thomas Happ, Jan Boris Philipp, and Michael Kund
10:30 HL 35.5 Valence and core excitations in Li(1−x)FePO4 — •Michael Kinyanjui, Peter Axmann, Margret Wohlfahrt-Mehrens, Philippe Moreau, Florent Boucher, and Ute Kaiser
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