Regensburg 2010 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 38: ZnO and Related Semiconductors

HL 38.10: Vortrag

Mittwoch, 24. März 2010, 12:00–12:15, H17

Donator-Akzeptor-Komplexbildung in ZnO — •Muhammed Türker, Peter Reichert, Manfred Deicher, Herbert Wolf und Thomas Wichert — Technische Physik, Universität des Saarlandes, 66123 Saarbrücken

Nach wie vor bereitet im Gegensatz zur n-Dotierung die p-Dotierung von ZnO große Schwierigkeiten. Als Möglichkeit für eine verbesserte p-Dotierung werden nach theoretischen Überlegungen die Donator-Akzeptor-Kodotierung [1] oder die Cluster-Dotierung [2] vorgeschlagen. Dabei führt die Bildung von Donator-Akzeptor-Komplexen zur Steigerung der p-Leitfähigkeit. Experimentell wurde dieser Ansatz für die In-N-Kodotierung durch elektrische Messungen bestätigt [3]. Auf atomarer Ebene sind solche Defektkomplexe durch elektrische Feldgradienten (EFG) am Ort des Donators charakterisiert, die mit Hilfe der gestörten γγ-Winkelkorrelation (PAC) und des radioaktiven Donators ¹¹¹In bestimmt werden können. Für verschiedene Verfahren der In-Akzeptor-Kodotierung (Implantation und/oder Diffusion) wurden neben dem EFG des ungestörten ZnO-Gitters (ν_QGitter = 31 MHz) durch weitere EFG charakterisierte Defekte beobachtet, die auf eine Bildung von In-N- und In-P-Komplexen hinweisen. Unter Berücksichtigung von druckabhängigen PAC-Messungen und ergänzenden Diffusionsprofilmessungen werden die Messergebnisse diskutiert.

Gefördert durch das BMBF, Projekt 05KK7TS1.

[1] T. Yamamoto et al., Physica B 302-303 (2001) 155

[2] L.G. Wang et al., Phys. Rev. Lett. 90 (2003) 256401

[3] L.L. Chen et al., Appl. Phys. Lett 87 (2005) 252106