Regensburg 2010 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 4: Photovoltaics I: mainly CIGS

HL 4.5: Vortrag

Montag, 22. März 2010, 11:30–11:45, H15

Vergleichende Charakterisierung von Homo- und Heterojunction- CuIn_0,4Ga_0,6Se₂ Solarzellenstrukturen auf Glassubstrat — •Kristin Wendt¹, Thomas Hempel¹, Jürgen Christen¹, Kay-Michael Günther¹, Mutsumi Sugiyama² und Shigefusa Chichibu³ — ¹Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke Universität Magdeburg, Deutschland — ²Department of Electrical Engineering, Tokyo University of Science, Japan — ³Institute of Multidisciplinary Research of Advanced Materials, Tohoku University, Japan

Das Materialsystem Cu(In,Ga)Se₂ ist aufgrund des variablen Bandabstandes, ein vielversprechendes Material für die Herstellung von Dünnschichtsolarzellen. Das Interesse liegt dabei auf der Entwicklung alternativer Pufferschichten und der Realisierung einer Homojunction durch Dotierung des Absorbers Cu(In,Ga)Se₂. In den vorgestellten Untersuchungen werden optische und elektrooptische Messungen an Homojunction- bzw. Heterojunction- CuIn_0,4Ga_0,6Se₂ -Strukturen auf Glassubstrat mit unterschiedlichen Pufferschichten vorgestellt. Durch temperatur- und anregungsdichteabhängige Photolumineszenzmessungen wird das Lumineszenzverhalten der über thermische Evaporation prozessierten CuIn_0,4Ga_0,6Se₂ -Schichten verglichen. Die CuIn_0,4Ga_0,6Se₂ -Strukturen zeigen dabei eine breitbandige Lumineszenz im Bereich von 1,08eV bis 1,28eV mit einer Halbwertsbreite im Bereich von 0,08eV bis 0,10 eV. Eine spektrale Änderung der Lumineszenz wurde weder mit veränderter Anregungsleistung noch mit Veränderung der Temperatur beobachtet.