Regensburg 2010 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 45: Group-III-Nitrides: Optical Properties II

HL 45.6: Vortrag

Mittwoch, 24. März 2010, 16:00–16:15, H15

Untersuchungen von gezielt belasteten, blauen InGaN-MQW-LEDs mittels EL, μ-EL, simultanem μ-PL/Raster-LBIC und FE-REM — •T. Fey, T. Hempel und J. Christen — Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität, 39106 Magdeburg

Es wurden sowohl mechanisch als auch elektrisch belastete, kommerzielle, blaue InGaN-MQW-LEDs mittels EL, μ-EL, simultanem μ-PL/Raster-LBIC(Light Beam Induced Current) sowie FE-REM untersucht. Bei den mechanisch belasteten LEDs konnte sowohl im FE-REM als auch in der μ-EL kein eindeutiger Einfluss auf die Bauelemente nachgewiesen werden. Im Gegensatz dazu zeigten viele der elektrisch belasteten Proben eine inhomogene Intensitätsverteilung und ein Ansteigen des Sperrstromes. Bei diesen geschädigten LEDs konnte in Sperrrichtung Lumineszenz detektiert werden. Diese Lumineszenz in Sperrrichtung steht in örtlicher Korrelation zu dunklen Bereichen in Durchlassrichtung. In Übereinstimmung dazu zeigen die simultanen μ-PL/LBIC Messungen ein deutliches Ansteigen des LBIC und ein Einbruch der MQW-Lumineszenz in diesen defekten Bereichen. Bei Untersuchungen einer defekten LED konnte ebenfalls Lumineszenz in Sperrrichtung mit gleicher spektraler Verteilung detektiert werden. Wir danken der Firma PerkinElmer Elcos GmbH für die freundliche Unterstützung.