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HL: Fachverband Halbleiterphysik
HL 56: Non- and Semi-polar Group-III-Nitrides
HL 56.9: Talk
Thursday, March 25, 2010, 16:15–16:30, H15
Charakterisierung von AlGaInN mittels Röntgenbeugung und -fluoreszenz — •Lars Groh, Christoph Hums, Matthias Wieneke, Phannee Saengkaew, Jürgen Bläsing und Alois Krost — Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg
Quantum Well Strukturen für Nitrid-basierte Leuchtdioden werden derzeit zumeist c-Achsen orientiert gewachsen, wobei der Quantum Confined Stark-Effekt den Überlapp zwischen Elektron- und Lochwellenfunktion und somit die Effizienz der Bauelemente reduziert. Ursache dafür ist die unterschiedliche Polarisation der verschiedenen zum Einsatz kommenden Nitride, im Well und der Barriere. Zum Angleich dieser beiden Polarisationen wurden mittels MOVPE quaternäre Schichten aus AlGaInN gewachsen, die - zusätzlich zum Freiheitsgrad der Bandlücke der ternären Verbindungen - eine Anpassung der Polarisation erlauben. Die strukturelle Charakterisierung derartiger Schichten (Dicke, Verspannung, Twist, Tilt, Relaxationsgrad) ist mittels Röntgenbeugung nur begrenzt möglich, da die quaternäre Zusammensetzung keine eindeutige Bestimmung der Schichtkomposition mehr zulässt. Daher wurden verschiedene Röntgenfluoreszenzversuche (XRF, TXRF, GIXRF, GEXRF) unternommen, um die fehlende Information zur Bestimmung der Schichtkomposition zu ergänzen.