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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 56: Non- and Semi-polar Group-III-Nitrides

HL 56.9: Vortrag

Donnerstag, 25. März 2010, 16:15–16:30, H15

Charakterisierung von AlGaInN mittels Röntgenbeugung und -fluoreszenz — •Lars Groh, Christoph Hums, Matthias Wieneke, Phannee Saengkaew, Jürgen Bläsing und Alois Krost — Institut für Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universität Magdeburg

Quantum Well Strukturen für Nitrid-basierte Leuchtdioden werden derzeit zumeist c-Achsen orientiert gewachsen, wobei der Quantum Confined Stark-Effekt den Überlapp zwischen Elektron- und Lochwellenfunktion und somit die Effizienz der Bauelemente reduziert. Ursache dafür ist die unterschiedliche Polarisation der verschiedenen zum Einsatz kommenden Nitride, im Well und der Barriere. Zum Angleich dieser beiden Polarisationen wurden mittels MOVPE quaternäre Schichten aus AlGaInN gewachsen, die - zusätzlich zum Freiheitsgrad der Bandlücke der ternären Verbindungen - eine Anpassung der Polarisation erlauben. Die strukturelle Charakterisierung derartiger Schichten (Dicke, Verspannung, Twist, Tilt, Relaxationsgrad) ist mittels Röntgenbeugung nur begrenzt möglich, da die quaternäre Zusammensetzung keine eindeutige Bestimmung der Schichtkomposition mehr zulässt. Daher wurden verschiedene Röntgenfluoreszenzversuche (XRF, TXRF, GIXRF, GEXRF) unternommen, um die fehlende Information zur Bestimmung der Schichtkomposition zu ergänzen.