Regensburg 2010 – scientific programme

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 60: Poster II: Optical Properties, incl. Photonic Crystals and Ultrafast Phenomena

HL 60.37: Poster

Thursday, March 25, 2010, 18:00–20:00, Poster D1

Ultrakurzzeitanalyse von der Ladungsträgerthermalisierung in (GaIn)As und Ge Quantenfilmen — •Kolja Kolata¹, Christoph Lange¹, Niko Köster¹, Sangam Chatterjee¹, Hans Sigg², Daniel Chrastina³, Giovanni Isella³ und Hans von Känel³ — ¹Fachbereich Physik, Philipps-Universität Marburg — ²Labor für Micro- und Nanotechnologie, Paul Scherrer Institut, Schweiz — ³CNISM und L-NESS, Dipartimento di Fisica del Politecnico di Milano, Polo Regionale di Como

Die transiente Anrege-Abfrage-Spektroskopie ermöglicht es die Ladungsträgerdynamik in Halbleiternanostrukturen, spektral aufgelöst zu untersuchen. Hierdurch gelang es die Zeitregimes der Thermalisierung von optisch injizierten Ladungsträgern in (GaIn)As und Ge Quantenfilmen zu bestimmen. In beiden Materialien wurde eine nicht thermische Verteilung der Ladungsträger beobachtet. Die Relaxation der Ladungsträgerverteilung vom Injektionspunkt an, hin bis zum Grundzustand, wurde auf einer Zeitskala von 500 fs bei Raumtemperatur gemessen. In (GaIn)As thermalisieren die angeregten Ladungsträger (250 meV oberhalb der Bandkante) innerhalb von 300 fs. Durch spinverbotene Übergänge im Leichtlochsystem und der daraus folgenden verlangsamten Relaxation, sind unterschiedliche Ladungsträgerverteilungen im Schwer- und Leichtlochsystem zu beobachten. Im Vergleich zu (GaIn)As erfolgt die Thermalisierung in Ge etwas langsamer, auf Grund der fehlenden Fröhlichwechselwirkung.