Regensburg 2010 – scientific programme
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HL: Fachverband Halbleiterphysik
HL 61: Poster II: Materials, Interfaces and Heterostructures
HL 61.22: Poster
Thursday, March 25, 2010, 18:00–20:00, Poster D1
Definierte Variation der Nanostruktur in Ge-Schichten mittels Glanzwinkelabscheidung — •Michael Weise1, Chinmay Khare1, Bodo Fuhrmann2, Jens Bauer1 und Bernd Rauschenbach1 — 1Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung, Permoserstraße 15, D-04318 Leipzig — 2Martin-Luther-Universität Halle-Wittenberg, Heinrich-Damerow-Straße 4, D-06120 Halle
Die Glanzwinkelabscheidung (GLAD) erlaubt eine einfache Herstellung von selbstorganisierten porösen Nanostrukturen auf dem Prinzip der gegenseitigen atomaren Abschattung. Über die Wahl der Abscheideparameter Einfallwinkel und Substratrotationsgeschwindigkeit (konstant oder mit definierter zyklischer Änderung) sowie unter Verwendung vorstrukturierter Oberflächen lassen sich variable Morphologien und geometrische Anordnungen erzeugen. Es wurde das Wachstum von Silizium und Germanium auf unbehandelten und vorstrukturierten Substraten untersucht. Die Variation des Einfallswinkels erlaubt eine Veränderung der Dichte der deponierten Schicht. In Abhängigkeit von der Rotationsgeschwindigkeit können säulen-, schrauben- oder spiralartige Morphologien erzeugt werden. Eine zyklische Änderung der Winkelgeschwindigkeit ermöglicht einen weiteren Einfluss auf die Formgebung der Strukturen, wie z.B. das Wachstum von Strukturen mit rechteckiger Grundfläche. Durch Substratvorstrukturierung, z.B. mittels Nanokugellithographie, Elektronenstrahllithographie oder unter Verwendung fokussierter Ionenstrahlen, lassen sich Wachstumsplätze vorgeben. Die dadurch festgelegte Abschattung hat Einfluss auf die Morphologie, z.B. dreieckige Säulen bei wabenartiger Anordnung.