Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 68: II-VI Semiconductors: mainly Optical Properties

HL 68.4: Vortrag

Freitag, 26. März 2010, 12:15–12:30, H17

Diffusionsmessungen in CdTe mittels ortsaufgelöster Photolumineszenzspektroskopie — •R. Gerten, F. Strauß, J. Kronenberg, H. Wolf und Th. Wichert — Technische Physik, Universität des Saarlandes, 66123 Saarbrücken, Germany

In Radiotracer-Experimenten ist gezeigt worden, dass nach Diffusion von Gruppe I Elementen in ca. 800 µm dicken CdTe Kristallen peak-förmige, bezüglich des Kristallzentrums symmetrische Konzentrationsprofile beobachtet werden [1]. Motiviert durch diese Ergebnisse wurde eine Apparatur für ortsaufgelöste Photolumineszenzspektroskopie (µPL) aufgebaut, um Defektprofile ohne die Verwendung radioaktiver Isotope und nahezu zerstörungsfrei zu bestimmen. Erste Messungen zeigen an nominell undotierten Proben nach Tempern für 60 Minuten bei 800 K unter Cd-Atmosphäre tiefenaufgelöste PL-Signale mit Intensitätsprofilen, die den Diffusionsprofilen von Gruppe I Elementen nach gleichartiger thermischer Behandlung entsprechen. Dabei zeigt der Verlauf der Intensität für die akzeptor- und donatorgebundenen Exzitonen ein komplementäres Verhalten, ähnlich wie in [2] berichtet. Offensichtlich werden durch interstitiell eindiffundierende Cd Atome pn-Übergänge im Innern des Kristalls erzeugt, wobei die mobilen, elektrisch geladenen Defekte dem Verlauf des Potentials folgen. Damit lassen sich sowohl die Tracer-Diffusionsprofile als auch die µPL-Profile konsistent erklären. Gefördert durch das BMBF, Projekt 05 KK1TSB/5 [1] H. Wolf et al., Phys. Rev. Lett. 94 (2005) 125901 [2] P. Horodyský et al., Phys. Stat. Sol. 2 (2005) 1189