Dresden 2011 – wissenschaftliches Programm

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DF: Fachverband Dielektrische Festkörper

DF 16: Dielectric surfaces and interfaces

DF 16.5: Vortrag

Donnerstag, 17. März 2011, 15:35–15:55, MÜL Elch

Defektanalyse in SiO₂-Schichten mit Hilfe der Positronen-Lebensdauer-Impuls-Korrelation — •Benjamin Löwe¹, Werner Egger¹, Andreas Bergmaier¹, Gottfried Kögel¹, Luca Ravelli¹, Peter Sperr¹, Christoph Hugenschmidt^2,3 und Günther Dollinger¹ — ¹LRT2, Universität der Bundeswehr, Neubiberg, Deutschland — ²ZWE FRM II, TU München, Deutschland — ³Physik-Department E21, TU München, Deutschland

Aus Positronenlebensdauermessungen in Festkörpern kann auf Art und Konzentration von leerstellenartigen Defekten geschlossen werden. Messungen der Energie der Annihilationsquanten, die bei der Vernichtung von Positronen mit Elektronen im Festkörper entstehen, lassen Rückschlüsse auf die chemische Umgebung der Defekte zu.

Korrelierte Messungen der Positronenlebensdauer und der Energie der Annihilationsquanten, die vom selben Annihilationsereignis stammen (AMOC = Age Momentum Correlation) liefern ein detailreicheres Bild der Defektsituation als die unkorrelierte Messung von Lebensdauer und Energie.

Mit Hilfe des gepulsten Positronenstrahlsystem PLEPS am FRM II wurden AMOC-Messungen an SiO₂-Schichten durchgeführt. Die Positronen wurden bei einer Energie von 2 keV in 100 nm dicke, unterschiedlich hergestellte SiO₂-Schichten implantiert. Aus den gemessenen AMOC-Spektren können verschiedene Schnitte extrahiert werden. Anhand des S(t)-Plots, der die Breite der Annihilationslinie als Funktion der Lebensdauer darstellt, lässt sich z.B. die Positroniumsbildung in unterschiedlich aufgetragenen SiO₂-Schichten vergleichen.