Dresden 2011 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 31: III-V-Compounds: Nitrides

HL 31.7: Vortrag

Dienstag, 15. März 2011, 12:00–12:15, POT 51

MOVPE von semipolarem AlGaN auf (1010) m-plane Saphir — •Frank Mehnke, Joachim Stellmach, Martin Frentrup, Gunnar Kusch, Tim Wernicke, Markus Pristovsek und Michael Kneissl — Technische Universität Berlin, Institut für Festkörperphysik, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germany

Die Bandlücke von AlGaN variiert von 3,4 eV – 6,2 eV und ermöglicht Leuchtdioden (LEDs) im ultravioletten Spektralbereich. In dieser Arbeit wurden semipolare (1122) AlGaN–Schichten untersucht, die ohne Nukleationschicht direkt auf (1010) m–plane Saphir mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) abgeschieden wurden. Beim Wachstum wurden die TMAl– und TMGa–Partialdrücke bei einer Suszeptortemperatur von 1100 ^∘C unter H₂–Atmosphäre variiert. Die Schichten sind vorzugsweise (1122) orientiert. Die Halbwertsbreite des symmetrischen (1122) Reflexes entlang der [1100]_AlGaN Richtung ist mit 2780 arcsec vergleichbar mit der von (1122) GaN Proben auf (1010) Saphir. Die Proben haben eine Oberflächenrauigkeit zwischen 15 nm und 2 nm. Der Al–Gehalt der glattesten Proben liegt bei 60 % und wurde aus Transmissionsuntersuchungen bestimmt. Unterhalb von 60 % Al–Gehalt wird die Morphologie von dreieckigen Strukturen bestimmt, deren Öffnungswinkel sich mit abnehmenden Al–Gehalt erhöht. Oberhalb von 70 % sind zusätzlich inselartige Strukturen zu erkennen. Die Absorbtionskante lag 0,05 eV (bei GaN) bis 0,35 eV (bei AlN) unterhalb der Bandkante von (0001) orientierten AlGaN–Schichten. Weitere Untersuchungen zur Eignung der semipolaren AlGaN–Schichten zur Realisierung von UV–LEDs sind in Vorbereitung.