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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 44: Poster Session I

HL 44.29: Poster

Dienstag, 15. März 2011, 18:00–21:00, P3

Temperaturabhängigkeit des elektrischen Feldgradienten in Al_xGa_1−xN — •Ronnie Simon¹, Sahar Hamidi¹, Patrick Kessler¹, Sérgio Miranda², Katharina Lorenz², Reiner Vianden¹ und ISOLDE Collaboration³ — ¹Helmholtz Institut für Strahlen- und Kernphysik, Universität Bonn — ²Instituto Tecnológico e Nuclear, 2686-953 Sacavém, Portugal — ³CERN, Genf, Schweiz

Ternäre Verbindungen von Gruppe III-Nitriden, unter anderem das hier untersuchte Al_xGa_1−xN, finden zahlreiche Anwendungen in optoelektronischen Bauteilen wie LEDs.

In Abhängigkeit vom Al-Anteil x wurden Messungen mit der gestörten γ-γ-Winkelkorrelation (PAC) durchgeführt. Dazu wurden ^111mCd(¹¹¹Cd), ¹¹⁷Cd(¹¹⁷In) und ¹¹¹In(¹¹¹Cd) als Sonden verwendet. Die bei der Implantation der Sonden entstehenden Gitterschäden wurden bei 1200K ausgeheilt. Die Auswirkungen des Al-Anteils in Al_xGa_1−xN auf den elektrischen Feldgradienten des Gitters wurden untersucht. Dabei wurden Messungen bei Temperaturen zwischen 300K und 1000K durchgeführt.

PAC Messungen mit ¹¹¹In in GaN haben gezeigt, dass es zur Bildung eines Defektkomplexes aus einem substitutionellen Indiumatom und einer Stickstoffleerstelle kommt (In-V_N). In-V_N weist ein reversibles Temperaturverhalten auf und ist bis zu hohen Temperaturen stabil. Dieser Komplex ist auch in Al_xGa_1−xN beobachtbar und zeigt eine hohe Abhängigkeit vom Al-Anteil x.