Dresden 2011 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 44: Poster Session I

HL 44.37: Poster

Dienstag, 15. März 2011, 18:00–21:00, P3

Diffusionslängen in GaAs — •Sergej Markman, Markus K. Greff und Andreas D. Wieck — Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum

Eine mögliche Charakterisierung und Optimierung der elektrischen Güte von III-V-Solarzellen für die Photovoltaik ist die Diffusionslänge der Minoritätsladungsträgern, die sowohl die Ladungsträgerbeweglichkeit als auch die Lebensdauer beinhaltet. Durch fokussierte Ionenstrahlen (FIB) können elegant laterale pn-Übergänge geschrieben werden, die oberflächennah sind. Da dann vom eingestrahlten Licht keine hoch dotierten Schichten durchquert werden müssen und so eine potenzielle Absorption entfällt, kann die Effizienz der Ladungsträgergeneration in den verarmten Bereichen zwischen p- und n-Gebiet erhöht werden.

Es sollen dann die Diffusionslängen von Elektronen bzw. Löchern in GaAs in Abhängigkeit der Dotierstoffkonzentration untersucht werden. Dazu soll, mittels eines fokussierten Ionenstrahls, Kohlenstoff in ein n-HEMT implantiert und so p-überkompensiert werden, da Kohlenstoff in GaAs einer der flachsten Akzeptoren darstellt. Komplementär dazu soll ebenfalls ein p-HEMT lokal n-dotiert werden. Die Diffusionslängen werden anschließend mittels eines OBIC-Aufbaus (eng. Optical beam induced current) gemessen. Über eine optische Abbildung der im LED-Betrieb erzeugten Infrarotstrahlung durch eine CCD-Kamera soll ebenfalls ermöglicht werden, die Diffusionslängen direkt zu beobachten.