Dresden 2011 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 44: Poster Session I

HL 44.42: Poster

Dienstag, 15. März 2011, 18:00–21:00, P3

Einfluss von höherer Gate-Spannung und Lichteinfluss auf die Ladespektren von InAs-Quantenpunkt-Proben mit ITO-Gates — •Patrick Labud, Arne Ludwig, Dirk Reuter und Andreas Dirk Wieck — Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Ruhr-Universität Bochum, D-44780 Bochum

Die Ladespektroskopie an InAs-Quantenpunkten (QDs) findet ihren Anfang im Jahre 1994, als Drexler et al. [1] zum ersten Mal mittels Kapazitäts-Spannungs-Messungen (C(V)-Messungen) das gezielte Beladen von QDs mit einzelnen Elektronen nachweisen konnten. Anhand der Resultate wurde eine schalenartige Energieniveaustruktur nachgewiesen, weshalb man bei QDs auch von „künstlichen Atomen“ spricht. Durch die Herstellung von transparenten, leitfähigen ITO(Indiumzinnoxid)-Gates auf die Oberfläche von QD-Halbleiterproben kann die Ladespektroskopie um optische Untersuchungen erweitert werden. In diesem Beitrag wird der Einfluss höherer Gate-Spannungen sowie der Lichteinfluss auf die Barrierenhöhe des Schottky-Kontaktes untersucht.
[1] H. Drexler, D. Leonard, W. Hansen, J. P. Kotthaus, P. M. Petroff, Spectroscopy of Quantum Levels in Charge-Tunable InGaAs Quantum Dots, Phys. Rev. Lett. 73, 2252-2255 (1994).