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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 85: Poster Session II

HL 85.115: Poster

Thursday, March 17, 2011, 18:00–21:00, P4

Defekterzeugung durch hohe elektrische Stromdichten im III-V-Halbleiter Galliumnitrid — •Christian Karrasch, Thomas Geruschke, Bert Kann und Reiner Vianden — Universität Bonn, Helmholtz-Institut für Strahlen- und Kernphysik, Nußallee 14-16 D-53115 Bonn

Galliumnitrid (GaN) besitzt vielfältige technische Anwendungen in der Halbleiterindustrie, wie z.B. Hochleistungsdioden und -transistoren. Dennoch ist über Schädigungsmechanismen in GaN und die durch elektrischen Strom erzeugten Kristalldefekte noch wenig bekannt. Mit Hilfe der Methode der gestörten Winkelkorrelation (PAC) können Gitterdefekte untersucht und klassifiziert werden. Als PAC Sonde wird ¹¹¹In in undotiertes GaN implantiert. Die dabei entstehenden Implantationsschäden werden durch thermische Behandlung ausgeheilt. Da Indium isoelektronisch zu Gallium ist und in einer ternären Verbindung in blauen InGaN-LEDs Verwendung findet, eignet es sich sehr gut als Sondenatom zur PAC-Messung. Aufgrund der relativ kurzen Halbwertszeit von ¹¹¹In (t_1/2 = 2,83 d) muss die Belastung durch elektrischen Strom mit sehr hoher Stromdichte (über 10⁴ A/cm²) durchgeführt werden. Anschließend wird die Schädigung des GaN Gitters durch den elektrischen Stromfluss untersucht. Zur weiteren Charakterisierung werden Hall-Effekt Messungen durchgeführt.