Dresden 2011 – wissenschaftliches Programm

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HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 85: Poster Session II

HL 85.73: Poster

Donnerstag, 17. März 2011, 18:00–21:00, P4

Epitaktische Kristallisation von Silicium mit einem Diodenlaser — •Thomas Schmidt, Gudrun Andrä und Fritz Falk — Institut für Photonische Technologien e.V., Jena, Deutschland

Dünnschichtsolarzellen aus kristallinem Silicium sind eine günstige Alternative zu Waferzellen. Multikristalline Dünnschichtzellen aus Silicium auf einem Substrat aus Borosilikat–Glas können mit Hilfe eines laserinduzierten Epitaxieprozesses hergestellt werden.

Es werden Ergebnisse präsentiert, bei denen durch Diodenlaserbestrahlung von amorphem Silicium sowohl auf einkristallinen Substraten als auch auf polykristallinen Schichten (Korngrößen >100 µm) epitaktisches Wachstum erreicht werden konnte. Die Epitaxie fand dabei durch Erstarren der geschmolzenen Phase oder durch direkte Festphasenumwandlung des amorphen Materials im ms– bis s–Bereich statt. Durch Messung der Reflektivität während der Bestrahlung zusammen mit numerischen Simulationen konnte dabei der Kristallisationsvorgang zeitaufgelöst verfolgt werden.