Dresden 2011 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Updates | Downloads | Help

HL: Fachverband Halbleiterphysik

HL 85: Poster Session II

HL 85.74: Poster

Thursday, March 17, 2011, 18:00–21:00, P4

Epitaxie auf kristallinem Silizium durch Excimer-Laser Bestrahlung — •Ingo Sill, Gudrun Andrä und Fritz Falk — Institut für Photonische Technologien e.V., Jena

Dünnschichtsolarzellen aus kristallinem Silizium sind eine günstige Alternative zu Waferzellen. Multikristalline Dünnschichtzellen aus Silizium auf einem Substrat aus Borosilicat-Glas können mit Hilfe des LLC Prozesses (Layered Laser Crystallization) hergestellt werden. In diesem Prozess wird eine hoch Bor-dotierte a-Si Schicht durch einen cw-Diodenlaser kristallisiert, sodass Kristallite in der Größenordnung von 100 µm entstehen. Diese Keimschicht wird anschließend epitaktisch verdickt, indem darauf Bor-dotiertes a-Si durch Elektronenstrahlverdampfen abgeschieden und gleichzeitig das a-Si durch wiederholtes Bestrahlen mit dem Puls eines Excimer-Lasers epitaktisch kristallisiert wird. Um den Prozess hinsichtlich der Abscheidung großer a-Si Schichtdicken zwischen den einzelnen Laserpulsen und geringer Substrattemperatur optimieren zu können, wurde ein einzelner Kristallisationsschritt untersucht. Dabei wurde die Keimschichtdicke, die a-Si Dicke, die Substrattemperatur und die Fluenz des Excimer-Lasers variiert, um die Abhängigkeit des Epitaxieintervalls von diesen Parametern zu messen und zu verstehen. Experimentelle Ergebnisse werden mit Simulationsrechnungen verglichen.