Dresden 2011 – wissenschaftliches Programm

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O: Fachverband Oberflächenphysik

O 6: Semiconductor substrates: Adsorption

O 6.3: Vortrag

Montag, 14. März 2011, 11:45–12:00, WIL B122

Strukturelle Untersuchungen zur Ga-Adsorption auf Si(110) — •Torsten Wilkens, Thomas Schmidt und Jens Falta — Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, 28359 Bremen

Niederdimensionale Halbleiterstrukturen wie Quantendrähte versprechen vielfältige Anwendungsmöglichkeiten. Eine Methode der Herstellung solcher Nanostrukturen ist die Abscheidung sich selbst-organisierender Strukturen auf neuartigen Template-Substraten. In diesem Kontext wurde die Adsorption von Gallium auf der 16×2-rekonstruierten Si(110)-Oberfläche mit Hilfe von Rastertunnelmikroskopie (STM) und hochauflösender niederenergetischer Elektronenbeugung (HR-LEED) untersucht.

Als Ergebnis dieser Messungen werden erste Aufnahmen der Ga-terminierten Si(110)-Oberfläche im Realraum präsentiert, welche eine 3√3×√3−R54,7^∘-Rekonstruktion zeigen mit in zwei Domänen ausgerichteten Streifen, deren mit HR-LEED bestimmten Orientierungen exakt senkrecht zu den Ausrichtungen der Streifen der darunter liegenden 16×2-Rekonstruktion sind, also in Richtung ⟨111⟩ und ⟨111⟩. Darüber hinaus belegen die STM-Messungen eine vollständige Bedeckung der Oberfläche unabhängig davon, ob zuvor unrekonstruierte Bereiche vorlagen oder nicht. Mit Hilfe hochauflösender STM-Aufnahmen lassen sich die Streifen der 3√3×√3−R54,7^∘-Rekonstruktion als Aneinanderreihung rechteckiger Einheiten sichtbar machen. Diese Rechtecke wiederum existieren in zwei unterschiedlichen Ausdehnungen, wobei der breitere der beiden Typen eine bevorzugte Anordnung in Ketten senkrecht zu den Streifen zeigt.