Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Aktualisierungen | Downloads | Hilfe

T: Fachverband Teilchenphysik

T 61: Halbleiterdetektoren I

T 61.1: Vortrag

Montag, 28. März 2011, 16:45–17:00, 30.21: 001

Charakterisierung von DEPFET Pixelsensoren für den Belle II Vertexdetektor — •Florian Lütticke, Sergey Furletov, Manuel Koch, Mikhail Lemarenko und Norbert Wermes — Physikalisches Institut, Universität Bonn, Deutschland

Ein wichtiger Bestandteil bei Experimenten der Teilchenphysik wie Belle II am zukünftigen Super-KEKB Beschleuniger sind Vertexdetektoren. Eine neue Option hierfür sind DEPFET Pixeldetektoren. Diese depletierten Halbleitersensoren enthalten in jedem Pixel einen MOSFET als erste Verstärkungsstufe. Entstehende Ladung wird dabei im sog. Internen Gate, dem Potentialminimum unterhalb des MOSFET gesammelt. Diese Ladung moduliert den Source-Drain-Strom der mittels eines neu entwickelten Auslesesystems auf Basis des DCD (Drain Current Digitizer) ausgelesen wird. Es sollen die Unterschiede von altem (CURO+S3B) zu neuem (DCD+V4) Auslesesystem, sowie die Unterschiede der neuesten DEPFET Pixel Generation (PXD6) zur vorherigen diskutiert werden. Dazu werden Messungen mit radioaktiven Quellen sowie Messungen mit einem subpixelgenauen Lasersystem vorgenommen und hier präsentiert.