Karlsruhe 2011 – wissenschaftliches Programm

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T: Fachverband Teilchenphysik

T 62: Halbleiterdetektoren II

T 62.1: Vortrag

Dienstag, 29. März 2011, 16:45–17:00, 30.21: 001

Untersuchungen zur Stromgenerierung eines strahleninduzierten Defektes in Silizium — •Coralie Neubüser, Alexandra Junkes und Eckhart Fretwurst — Institut für Experimentalphysik Universität Hamburg

Im Rahmen dieser Arbeit wurde die Bistabilität des Cluster-Defektes V3 in strahlengeschädigten n-dotierten Silizium-Detektoren untersucht. Dieser tritt in zwei Konfigurationen auf: E75 (ein sehr flaches Defektniveau in der Bandlücke) und E4/E5 (zwei tiefe Defektniveaus). Es konnte eine Korrelation des Sperrstroms mit der E4/E5-Konzentration bestätigt werden. Ebenfalls konnte beobachtet werden, dass die injizierte mittlere Ladungsträgerdichte mit dem Anteil der umkonfigurierten Defekte korreliert ist. Die Messungen der Defektkonzentrationen wurde mit dem Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS)-Verfahren an n-dotiertem Silizium nach Bestrahlung mit 1 und 3E13 Neutronen pro cm² durchgeführt. Die Verarmungsspannung und der Sperrstrom wurden mit Hilfe der Kapazitäts-Spannungs- und Strom Spannungs-Kennlinien bestimmt.