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T: Fachverband Teilchenphysik

T 63: Halbleiterdetektoren III

T 63.2: Vortrag

Mittwoch, 30. März 2011, 17:00–17:15, 30.21: 001

Modellierung und Simulation strahlengeschädigter Silizium-Sensoren — Robert Klanner und •Jörn Schwandt — Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg

Um neue strahlenharte Silizium-Sensoren, wie sie z. B. für den SLHC oder für den European XFEL gebraucht werden, zu entwickeln und zu optimieren ist man auf “device” Simulationen (TCAD) angewiesen, mit denen sich die wichtigsten physikalischen Effekte genau beschreiben lassen. Dabei werden die den Ladungsträgertransport bestimmenden partiellen Differentialgleichungen unter Verwendung geeigneter Gitter mittels Finite-Elemente-Methoden gelöst. Die Parameter die in den physikalischen Modellen auftreten, die das unbestrahlte Material charakterisieren, sind durch Messungen zu kalibrieren. Die Berücksichtigung der Strahlenschäden in der Simulation erfolgt durch Hinzunahme von Traps, die durch Konzentration, Wirkungsquerschnitt und Energieniveau, bestimmt sind, sowie durch die eröhte Oxidladung.

In diesem Vortrag werden wir an Beispielen dieses Vorgehen verdeutlichen.