Kiel 2011 – scientific programme

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P: Fachverband Plasmaphysik

P 12: Plasmatechnologie I

P 12.6: Talk

Wednesday, March 30, 2011, 12:00–12:15, HS H

Ar als Sonde für die Untersuchung struktureller Eigenschaften dünner Schichten mittels XPS — •Atena Rastgoo Lahrood, Marina Prenzel, Teresa de los Arcos und Jörg Winter — Institut für Experimentalphysik II, Ruhr-Universität Bochum, 44801 Bochum, Deutschland

Bei vielen plasma-basierten Schichtabscheidungsprozessen wie Sputtering oder PECVD wird eine Gasmischung von Ar und anderen reaktiven Komponenten benutzt. Als Folge davon können kleine Mengen von Ar Atomen in abgeschiedenen dünnen Schichten eingefangen werden. Obwohl eine chemische Bindung zwischen den Ar Atomen und der Host-Matrix ausgeschlossen ist, gibt es eine Wechselwirkung zwischen den elektronischen Schalen der Ar Atome und ihrer Umgebung. Aus diesem Grund hat eine genaue Bestimmung der Bindungsenergie der eingebetteten Ar Atome die Potenzial Informationen über ihre lokale Umgebung zu liefern. Vorläufige XPS-Analysen von eingefangenen Ar Atomen in Al2O3 Schichten (abgeschieden mittels RF Magnetron Sputtering) haben gezeigt, dass es eine Korrelation zwischen der Bindungsenergieverschiebung der Ar2p Peaks und dem Kristalinitätsgrad der unterschiedlichen Al2O3 Matrize gibt. Um ein besseres Verständnis über diese Wechselwirkung zwischen den Ar Atomen und der Host Matrix zu bekommen, haben wir eine Reihe von kontrollierten Experimenten durchgeführt, indem wir Ar Atome mit unterschiedlichen Energien in verschiedenen Substraten implantiert haben. Desweiteren wurde die Auswirkung von nachträglicher thermischer Behandelung studiert und auch winkelabhängige Messungen durchgeführt.