Kiel 2011 – wissenschaftliches Programm

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P: Fachverband Plasmaphysik

P 12: Plasmatechnologie I

P 12.7: Vortrag

Mittwoch, 30. März 2011, 12:15–12:30, HS H

Mechanismen des Schichtwachstums - Untersuchung mittels Monte-Carlo Simulationen — •Evelyn Häberle¹, Andreas Mutzke², Ralf Schneider³, Andreas Schulz¹, Matthias Walker¹ und Ulrich Stroth¹ — ¹Institut für Plasmaforschung, Universität Stuttgart — ²Max-Planck-Institut für Plasmaphysik, Greifswald — ³Institut für Physik, Universität Greifswald

Das Aufwachsverhalten der in einem Mikrowellen-PECVD-Prozess abgeschiedenen Schichten wurde untersucht, v.a. im Hinblick auf die Schichtbildung an Stellen von Unebenheiten auf der Substratoberfläche. Dabei bestand die Möglichkeit mittels eines Substratbias Einfluss auf das Schichtwachstum zu nehmen, so dass ein homogeneres Ausfüllen der Vertiefungen auf der Substratoberfläche mit Schicht bzw. ein Verschmelzen der Schicht über sich ausbildenden Hohlräumen ermöglicht wurde. Als Modellsubstrate dienten hierbei Si-Wafer mit einer definierten Oberflächenstruktur im µm-Bereich.

Vorgestellt werden Vergleiche zwischen experimentellen Ergebnissen und Simulationen aus dem Monte-Carlo-Code SDTrimSP-2D. Zur Durchführung der Simulationen musste ein einfaches Schichtsystem betrachtet werden, gewählt wurden hydrogenisierte amorphe Siliziumschichten (a-Si:H), die in einem Silanplasma abgeschieden wurden. Der Vergleich ermöglichte eine genauere Analayse der Mechanismen, die zu dem beobachteten Schichtwachstum beitragen, da mit Hilfe des Simulationscodes die lokale Abtragung und Redeposition in Abhängigkeit der Oberflächenstruktur ermittelt werden konnte.