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SYPD: Symposium Plasmadeposition von optischen und mechanischen Funktionsschichten

SYPD 2: Plasma und optische Funktionsschichten II

SYPD 2.5: Hauptvortrag

Dienstag, 29. März 2011, 15:30–16:00, HS G

Struktur und elektronische Eigenschaften amorpher TiO_{2± x} und Al₂O₃ Schichten, sowie des amorphen TiO₂-SiO₂-Interfaces — •Thomas Köhler, Grygoriy Dolgonos, Michael Bogucki und Thomas Frauenheim — BCCMS, Universität Bremen, 28359 Bremen, Am Fallturm 1

Atomistische Modelle von amorphen TiO_{2± x}-Modifikationen nahezu kristalliner Dichte werden mittels Dichtefunktional-basierten molekulardynamischen Simulationen erzeugt und die Auswirkungen von lokalem Sauerstoffüberschuss, bzw. -mangel auf die räumliche Struktur und elektronischen Eigenschaften werden diskutiert.

Desweiteren werden Simulationen zum amorphen TiO₂-SiO₂-Interface vorgestellt, die die chemische Wechselwirkung zwischen der Schicht und dem Substrat abbilden, die zu Inhomogenitäten, Defekten und Dichtegradienten führt.

Letztendlich werden erste Modelle zum amorphen Aluminumoxid Al₂O₃ bezüglich Ihrer Nahordnung und elektronischen Eigenschaften diskutiert und mit experimentellen Daten verglichen.